什么是 IGBT 的优势？由于其混合式配置，使用 IGBT 模块相比其他类型的功率晶体管有许多优势。其中包括：
高电压能力驱动简单低导通功率消耗低电阻开关速度快IGBT 和 MOSFET 有什么区别？尽管 MOSFET 和 IGBT 是类似的元件，但两种晶体管也存在关键的差异。以下是 IGBT 和 MOSFET 的一些主要区别：
对于高压应用，IGBT 功率模块比 MOSFET 更受欢迎，因为它们是专门构造用于高压下运行的。具体而言，IGBT 的典型电压等级约为 1400V，而 MOSFET 的电压等级则低得多，约为 600V。
尽管两种器件类型的结构相似，但两者也有不同的引脚，IGBT 的三个引脚（发射极、集电极、栅极）与 MOSFET 的三个引脚（源极、漏极、栅极）不同。
您可以在下表中看到两种器件类型之间的比较：
|特征|IGBT|功率 MOSFET|
|电流额定值|高|低|
|电压额定值|非常高|高|
|开关速度|中等|快|
|输入阻抗|高|高|
|输出阻抗|低|中等|
如何控制 IGBT？IGBT 晶体管可以通过激活或关闭栅极来打开或关闭。对于导通状态，必须在栅极上施加正输入电压，以发出信号使发射极保持在设备上。由于这些器件是电压控制的，因此只需要在栅极上施加小电压即可通过 IGBT 模块维持导电。对于关断状态，改变输入栅极以接收零电信号或负信号将会触发设备关闭。
如何测试 IGBT？IGBT 测试非常重要，以确保器件和二极管状况良好。测试还可以确定栅极终端是否正确绝缘。
使用万用表可以轻松测试 IGBT 模块，但如果需要更全面的电路诊断，则始终建议咨询专业人士。您还应该注意，这些模块对 ESD 非常敏感，因此在处理 IGBT 晶体管时应始终使用防静电保护设备。